[讨论]题外话，关于90纳米和65纳米？？？？？？？

kellerman

这个技术是怎么实现的？？？

在90纳米或者65纳米的距离内设置好单元门电路和门电路间连线的宽度


或者说这个工艺是怎么实现的？？？在机床上？？肯定和汽车制造车间的设备大相径庭吧？？？这么小的玩意怎么弄出来的啊？？？？？？？？？ .

kellerman

最好有图片加详细说明

farcry77

晕了,不是在这么小的空间里设置电路什么的,真要这么小了,那到好了

应该是使用的材料更加小了吧,可以让整体的体积变的小,发热量也会变小~~~~

szntc

指芯片内部的线宽

kellerman

下面是引用szntc于2008-08-24 21:31发表的:
指芯片内部的线宽

这个我知道，我是问怎么实现的这个工艺

amat

这个我知道，65nm和90nm指的是晶体管的“闸”极线宽，通常为多晶硅制成。而且通常半导体的线宽每一代大概是上一代的70％。 也就是说90nm的上一代是130nm，而下一代为65，然后45，45以下就是32nm了。至于线宽如何缩小，以现有的技术来说，是由半导体厂（通常成为fab）中最核心的工艺——黄光微影(photolithography)的技术来实现的。我简单地介绍一下这个工艺，就是说首先设计出一种叫做“光罩”的东西，即上面有电路排列的形状，不需要的部分是镂空的。然后在半导体制造过程中，在硅晶圆的表面先涂一层叫做光刻胶的有机物，然后用光通过光罩照射到光刻胶上面，这样被照射的部分（光罩上镂空的部分）会发生光化学反应，而没有被照到的地方则不会。随后把硅晶圆浸入到一种特殊的化学溶液中，被照射过的部分就会溶解，没有被照射到的光刻胶就留下来。最后再对晶圆进行蚀刻（最早用化学蚀刻，现在都用等离子蚀刻），有光刻胶的部分就不会被蚀刻到，没有胶的部分则被蚀刻下去，从而在硅晶圆表面形成电路图形。线宽的缩小完全取决于微影工艺的进步， 缩小线宽的方法主要在于减小光波的衍射效应对工艺造成的不利影响。目前的方法主要是：1. 减小所用光源的波长，目前通常为紫外光。因为红橙黄绿青蓝紫么，红光波长最长，紫光波长最短，紫外光波长更短。大家可以理解为波长越短，就好象铅笔越尖，越是能画出更精细的图案。同理，这也是为什么sony蓝光光碟比目前的红光dvd容量更大的缘故。2. 在进行微影时在水或油等介质中，利用光波在不同介质中折射率不同从而消除或减小衍射的影响。此外，还有”double pattern“等更为复杂的工艺，由于不是专业论坛就不讨论了。
科学普及一下，专业人士勿喷……谢谢

amat

目前全世界最大及最先进的光刻设备供应商是荷兰的ASML公司，而世界最大的半导体制造设备商是美国的应用材料公司（Applied Materials Company)。 很多人没有听说过，大家可能更多的是知道英特尔和AMD吧。但实际上这些公司是隐藏在幕后的高手，没有设备，英特尔也做不出CPU。所以英特尔和AMD是应用材料的客户，应用材料也是英特尔的客户——购买英特尔生产出来的cpu来制造更加先进的设备。

石斛兰

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