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与 22ULL 工艺节点相比,台积电承诺 N12e 可在同等功耗水平下将频率提升至 1.49 倍、或将同频下的功耗降低 55%,更别提增加了 1.76 倍的逻辑密度、以及支持 0.4V 的低电压。 换言之,N12e 将台积电面向 IoT 产品的芯片制程扩展到了更低的功率范围,并且在其它功率水平下也可带来更好的性能表现。 其汇聚了台积电在 16nm 工艺上积累的经验、并融入了 12FFC+ 的改进,两者均已被广泛应用于高性能计算。 台积电相信,N12e 将为 AI 加速器提供低功耗支撑,让下一代 5G IoT 边缘设备更加普及,从而推动语音识别、健康监测、机器视觉等领域的发展。 最后,格罗方德的 12FDX 平台,将成为 N12e 的主要竞争对手。前者建立在该公司的 12nm FD-SOI 技术之上,较同级 FinFET 设计具有更低的功耗和成本。
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